ESD常用的模型

电子元器件很容易被静电损伤。在电子元器件被送达到最终目的地之前,很多东西会触碰到电子元器件并对其放电,包括打包人员。创建这些模型和一些测试是为了保护电子元器件不受恶劣环境的影响,并确定组件的敏感度。

CDM (Charged Device Model, 充电器件模型) :
最被忽视的模型之一。当一个设备从一个管子、袋子或任何其他包装设备的东西上滑下来的时候,就会引起静电事件并迅速放电。当设备连接到地面时也会发生这种情况。该ESD事件是完全部分依赖的,一个普通的放电网络由一个4或30pF的电容组成。

CDM 类别:

类别 电压范围
C1 < 125V
C2 125V 至 <250V
C3 250V 至 <500V
C4 500V 至 <1000V
C5 1000V 至 <1500V
C6 1500V 至 <2000V
C7 ≥2000V

测试流程包括将设备引线向上放置在现场板上,然后对其进行充放电。下图显示了这个流程。

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MM (Machine Model,机器模型):
与HMB相似的是机器模型,被认为是最坏的HBM情况。MM的主要损伤来源是带电的机器或设备。这方面的例子可以在自动测试器的引脚中找到。常见的放电网络由200pF电容,无电阻,通过500nH系列电感放电组成。

MM 类别:

类别 电压范围
M1 <100V
M2 100V 至 <200V
M3 200V 至 <400V
M4 400V 至 <800V
M5 ≥800V

MM模型的测试采用以下电路:
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HBM (Human Body Mode,人体模型):
最古老、最常见的静电形式。如Mil-Std 1686第5.2.1.1节所述,根据HBM标准,ESD损伤的主要来源是人体。虽然这被称为人体模型,它真正代表的是从人体或任何带电设备中放电到静电敏感设备中。这通常表示为从指尖到设备的放电。一般公司会通过佩戴接地装置,静电手环,以及特殊的垫子来防止静电的产生。

HBM 类别

类别 电压范围
0 <250V
1A 250V 至 <500V
1B 500V 至 <1000V
1C 1000V 至 <2000V
2 2000V 至 <4000V
3A 4000V 至 <8000V
3B ≥8000V

在测试人体模型的电路中,设备被放置在电路中,如果不符合数据手册中的参数测试和功能测试,则该设备失效。

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MILSTD1686说明书

内容和图片由TDK的FAQESD Association 提供

英文原文链接: What are the ESD Models?