肖特基二極體 (Schottky Barrier Diode 或 Schottky Diode) 的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同於 PN 結二極體的反向恢復時間。由於肖特基二極體的反向恢復電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小，尤其適合於高頻套用。
以 onsemi NSR0340HT1G 舉例， 規格手冊 中的恢復時間
肖特基二極體常用於高效率電源和直流-直流電壓轉換器電路內，得益於其效率高且恢復時間短。
但是要留意，由於肖特基二極體的反向勢壘較薄，並且在其表面極易發生擊穿，所以它的反向擊穿電壓較低。