在標準的自舉電路中，高側驅動器是由自舉電容（CBOOT）與二極體（DBOOT） 供電的。當高側開關關閉時，開關節點（switch node）會被拉到低電位。而在矽基 MOSFET 中，開關節點的電壓會受到矽基 FET 內部體二極體的限制，維持在比地電位低約 1 V 的水平。
相較之下，GaN FET 內部不含矽基體二極體。取而代之的是，當 GaN FET 處於反向導通狀態時，其表現類似於內部體二極體（此時電壓約為 -2 V 至 -3 V）。這個更負的開關節點電壓會加到自舉電容的電壓上，使高側柵極驅動電壓被過度充電，進而可能導致：
- 過高的柵極‑源極電壓
- GaN 元件受損的風險
- 柵極驅動動作錯誤或不穩定
為避免上述問題，可使用 智慧型開關（smart switch） 來防止驅動器過度充電，而無需額外的箝位二極體。這種主動開關會在低側閘極（BOT gate） 開啟後隨即導通，從而實現受控的高階閘極驅動電壓輸出，且該電壓不再受限於體二極體的壓降。
在延長死區時間（dead time）的情況下，這些控制器也能容忍開關節點上的負向電壓尖峰。
DC DC 切換式控制器 | 電源管理 (PMIC) | 電子元件經銷商 DigiKey
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