EPC im wachsenden Ökosystem für GaN (Gallium-Nitride) Power Conversion
eGaN-Treiber und Controller
eGaN® FET-basierte Leistungswandlungssysteme bieten einen höheren Wirkungsgrad, eine höhere Leistungsdichte und niedrigere Gesamtsystemkosten als Si-basierte Alternativen. Diese vorteilhaften Eigenschaften haben ein immer größer werdendes Ökosystem von Leistungs-elektronik-Komponenten wie Gate-Treibern, Controllern und passiven Komponenten hervor gebracht, die speziell die Leistung von eGaN-FETs verbessern.
Halbleiterhersteller wie uPI Semiconductor, Texas Instruments und pSemi bringen weiterhin Treiber und Controller heraus, um die wachsende Nachfrage nach GaN-basierten Designs zu befriedigen.
Nachfolgend finden Sie eine Liste von existierenden ICs, die mit eGaN FETs kompatibel sind:
How to GaN 04 – Design Basics: Gate Drive
In diesem Video werden die grundlegenden Techniken für die Verwendung von GaN-Transistoren in Hochleistungswandlerschaltungen besprochen. GaN-Transistoren verhalten sich im Allgemeinen wie Leistungs-MOSFETs, jedoch bei viel höheren Schaltgeschwindigkeiten und Leistungsdichten. Dieses Video konzentriert sich darauf, wie man einen GaN-Transistor ansteuert, um maximale Leistung zu erreichen.
Kompatible Low-Side Gate-Treiber von TI vs Efficient Power Conversion Corporation, Inc.
Part
Number Manufacturer Description Application
Example
UCC27611 Texas Instruments 4 A/6 A High-Speed 5 V Optimized Single Gate Driver EPC9081
LMG1020 Texas Instruments 5 V, 7 A/5 A Low Side GaN Driver With 60 MHz/1ns Speed EPC9144
Kompatible Controller von Peregrine, SiLabs, TI, uPI vs Efficient Power Conversion Corporation, Inc. für synchrone Gleichrichter
Part Number Manufacturer Description Application
Example
LM5113 Texas Instruments 5 A, 100 V Half-Bridge Driver for eGaN FETs EPC9078
LMG1205 Texas Instruments 1.2 A, 5 A, 100 V Half-Bridge Driver for eGaN FETs EPC9078
uP1966A uPI Semiconductor Dual-Channel Gate Driver for eGaN FETs EPC9078
PE29102 Peregrine High-speed FET Driver, 40 MHz EPC9204
Si827xGB-IM Silicon Labs Isolated, automotive, up to 2.5 kV isolation, 4 A.
Dead time programmable. Use “GB” and “IM” suffixes. EPC9084
LMG5200 Texas Instruments 80 V GaN Half-Bridge Power Stage LMG5200POLEVM-10
Bitte überprüfen Sie die vorgeschlagenen Bauteile, um sicherzustellen, daß diese für Ihre Anwendung auch wirklich funktioniert.