Infineon (Ex-Cypress) bringt den branchenweit ersten strahlungstoleranten, QML-V-qualifizierten NOR-Flash-Speicher für weltraumtaugliche FPGAs auf den Markt
20. Juli 2021 | Marktnachrichten
München – 20. Juli 2021 – Weltraumtaugliche Field-Programmable Gate Arrays (FPGAs) benötigen zuverlässige, nichtflüchtige Speicher mit hoher Dichte, die ihre Boot-Konfigurationen enthalten. Infineon Technologies LLC, ein Unternehmen der Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY), hat heute die branchenweit ersten hochdichten strahlungstoleranten (RadTol) NOR-Flash-Speicherprodukte angekündigt, die nach dem QML-V-Flow (QML-V Equivalent) der MIL-PRF-38535 qualifiziert sind, um den wachsenden Bedarf an hochzuverlässigen Speichern zu decken. QML-V ist der höchste Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandard für ICs, die für die Luft- und Raumfahrt geeignet sind.
Die nichtflüchtigen 256-MB- und 512-MB-RadTol-NOR-Flash-Speicher von Infineon bieten eine hervorragende Single-Chip-Lösung mit geringer Pin-Zahl für Anwendungen wie FPGA-Konfiguration, Bildspeicherung, Mikrocontroller-Daten und Boot-Code-Speicherung. Bei Verwendung mit höheren Taktraten entspricht die von den Bausteinen unterstützte Datenübertragung derjenigen von herkömmlichen parallelen asynchronen NOR-Flash-Speichern oder übertrifft sie sogar, während gleichzeitig die Anzahl der Pins drastisch reduziert wird. Die Bausteine sind strahlungstolerant bis zu 30 krad (Si) mit Vorspannung und 125 krad (Si) ohne Vorspannung. Bei 125°C unterstützen die Bausteine 1.000 Programm-/Löschzyklen und 30 Jahre Datenerhalt, bei 85°C 10.000 Programm-/Löschzyklen und 250 Jahre Datenerhalt.
Als führender Anbieter von Speicherprodukten für den Weltraum hat Infineon die 65-nm-Floating-Gate-Flash-Prozesstechnologie für die Entwicklung der RadTol 256 Mb Quad-SPI (QSPI) und 512 Mb Dual Quad-SPI NOR Flash genutzt. Beide verfügen über eine SDR-Schnittstelle mit 133 MHz. Der 512-MB-Baustein besteht aus zwei unabhängigen 256-MB-Dies, die nebeneinander in ein einziges Gehäuse passen. Dies bietet Entwicklern die Flexibilität, den Baustein im Dual-QSPI- oder Single-QSPI-Modus auf einem der beiden Chips unabhängig voneinander zu betreiben und den zweiten Chip als Backup-Lösung zu nutzen. Infineon arbeitet bei weltraumtauglichen Anwendungen eng mit führenden FPGA-Ökosystem-Unternehmen wie Xilinx zusammen.
“Unsere strahlungstoleranten nichtflüchtigen Dual-QSPI-Speicher werden von den neuesten Space-Grade-FPGAs vollständig unterstützt. Sie ermöglichen eine überlegene Lösung mit geringer Pin-Anzahl und Single-Chip-Select zur Konfiguration von Prozessoren und FPGAs”, sagte Helmut Puchner, VP Fellow of Aerospace and Defense bei Infineon Technologies LLC. “Das gesamte Image für die Kintex® UltraScale™ Serie von Xilinx Inc. mit XCKU060-1FFVA1517I beispielsweise kann im Dual-Quad-Modus in etwa 0,2 Sekunden geladen werden.”
Die NOR-Flash-Bausteine können systemintern über das FPGA oder über ein eigenständiges Programmiergerät programmiert werden, das im gleichen 36-poligen Keramik-Flachgehäuse angeboten wird. Das Entwicklungskit und die Software von Infineon ermöglichen zudem eine einfache Design-Implementierung.
Verfügbarkeit
Die RadTol-NOR-Flash-Bausteine sind in einem 24x12 mm² großen 36-poligen Keramik-Flatpack-Gehäuse erhältlich. Die Bausteine S25FL256SAGBHEA00, S25FL256SAGBHEA03, S25FL256SAGBAEA00, S25FL256SAGBAEA03 unterstützen Temperaturklassen von -55°C bis 125°C, mit SEU-Rate < 1 x 10^16 Upsets/Bit-Tag, SEL > 60 MeV.cm²/mg (85°C), SEFI > 60 MeV.cm²/mg (LET) und SEU-Schwelle > 28 Mev.cm²/mg (LET). Weitere Informationen finden Sie unter www.cypress.com/products/radiation-hardened-memory.
Dokumentation
Einzel-Ereignis-Effekte: RadTol 256 Mb NOR Flash SEE Report (cypress.com)
Ionisierende Gesamt-Dosis: RadTol 256 Mb NOR Flash TID Report (cypress.com)