「反及」閘 NAND Gate 的 MOSFET 模型

眾所周知,「反及」閘 (NAND gate) 被視為通用邏輯閘。 邏輯閘通常由電晶體和其他組件構成,它們的設計複雜程度完全取決於製造商。 不管製造商層面設計的複雜程度如何,有一個非常實用的簡單模型可表現和「反及」閘相同的輸入/輸出模式,該模型由四個 MOSFET 組成。 以下是電路圖:

上半部有兩個 P 通道 MOSFET,稱為「高側」配置,而下半部有兩個 N 通道 MOSFET,稱為「低側」配置。 通俗地說,「高側」配置的預期輸出應該與輸入相反(即導通輸入產生非導通輸出,反之亦然),而「低側」配置則與輸入一致(即導通輸入產生導通輸出,反之亦然)。 雖然文字描述得很到位,但有時可能無法幫助理解電路的運作方式,因此我發現了一種更好的表述方法,即在 MOSFET 所在的位置模擬繪畫上「開關」。 當閘極上沒有輸入電壓時,P-MOS 電晶體的「高邊」配置與常閉開關是一樣的。 當閘極上沒有輸入電壓時,N-MOS 電晶體的「低邊」配置與常開開關是一樣的。
以下是一組展示所有可能狀態的功能圖:

兩個輸入均為低電平

A低、B高

A高、B低

兩個輸入均為高電平

我花了一番功夫才弄清楚為什麼需要 N-MOS 電晶體,因為為使輸出為零或接近零,電路需要「短路」到地。 如果兩個輸入都是高電平,則 N-MOS 電晶體均為開,才能提供一個完整的迴路,因為它們在供電時充當閉合開關。 輸出不會「恰好」為零,但只要足夠低即可按標準視為低(晶體管有一定量的壓降,因此輸出不會恰好為零,但可以充分接近)。 請注意,輸出應和「反及」閘的真實對應表一致,其中 ~5V=1 且 ~0V=0(以真實對應表而言,y 通常表示輸出):

A B y
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0

既然已經有了邏輯閘,那為什麼還要討論這個話題呢? 在單獨使用閘極之前,必須先了解閘極是如何運作的。 使用電晶體總是意味著,由於電壓下降,與電源電壓相比,電壓會出現些許變化,這是用於告訴系統什麼是「低」值、什麼是「高」值的關鍵概念。 你也可以使用此設定在模擬軟體中對邏輯閘建立模組,以便在板上開發之前先測試電路。 最後,我來展示如何使用 LTSpice 中的「反及」閘對所有基本邏輯閘進行建立模組。 沒錯,從技術上來說,該程式已經包含了一些內容,但如果從頭開始建立與預設不同的模型,將有助於你理解其中的概念。

想試試進行實際建模嗎? 你可以將我們提供的一些零件在試驗電路板上實現,看看是否有效:

簡單說明 DigiKey 零件編號 製造商零件編號
MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3 FQP30N06L-ND FQP30N06L
MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3 TP0604N3-G-ND TP0604N3-G
ARDUINO UNO R3 ATMEGA328P EVAL 1050-1024-ND A000066

Arduino 上的 5V 引腳足以啟動兩個 MOSFET,這取決於測試中使用的電源(也可以只用三用電表來讀取電壓)。