PSMN7R0-100PSとEPC製FETの部品比較表
DiscoverEEに拠る - パワーデバイスを発見するためのゲートウェイ
FETの動作条件
Vbus [V] = 50, RgTotal = 2, ID [A] = 44, Duty Cycle = 0.5, TA [°C] = 25, fsw [kHz] = 300
品番 | PSMN7R0-100PS,127 | EPC2052 | EPC2207 | EPC2212 | EPC2070 | EPC2016C |
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MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB |
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE |
TRANS GAN 200V DIE .022OHM |
GANFET N-CH 100V 18A DIE |
TRANS GAN DIE 100V .022OHM |
GANFET N-CH 100V 18A DIE |
|
Nexperia USA Inc. | EPC | EPC | EPC | EPC | EPC | |
ドレイン~ ソース間電圧(Vdss)[V] |
100 | 100 | 200 | 100 | 100 | 100 |
Id、Vgs印加時のRds On(最大)[mΩ] | 6.8 | 13.5 | 22 | 13.5 | 23 | 16 |
熱抵抗(ジャンクションーケース)[K/W] | 0.56 | 2 | 1.4 | 2 | 3.4 | 2 |
Vgs印加時の ゲート電荷 (最大)[nC] |
- | 4.5 | 5.9 | 4 | 2.5 | 4.5 |
駆動電圧[V] | 10 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
パッケージ サイズ[mm²] |
156 | 2.3 | 2.6 | 3.4 | 1.1 | 3.4 |
計算上の 総電力損失[W] |
22.8 | 13.8 | 22.1 | 13.7 | 22.6 | 16.3 |
車載適合 | 非適合 | 非適合 | 非適合 | 適合 | 非適合 | 非適合 |
Product Status | 推奨 | 推奨 | 推奨 | アクティブ | アクティブ |
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