PSMN7R0-100PSとEPC製FETの部品比較表

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PSMN7R0-100PSとEPC製FETの部品比較表

クロスリファレンス検索(epc-co.jp)より

DiscoverEEに拠る - パワーデバイスを発見するためのゲートウェイ

FETの動作条件
Vbus [V] = 50, RgTotal = 2, ID [A] = 44, Duty Cycle = 0.5, TA [°C] = 25, fsw [kHz] = 300

品番 PSMN7R0-100PS,127 EPC2052 EPC2207 EPC2212 EPC2070 EPC2016C
MOSFET
N-CH
100V 100A TO220AB
GANFET N-CH
100V 8.2A DIE
TRANS GAN 200V
DIE .022OHM
GANFET N-CH
100V 18A DIE
TRANS GAN DIE
100V .022OHM
GANFET
N-CH
100V 18A DIE
Nexperia USA Inc. EPC EPC EPC EPC EPC
ドレイン~
ソース間電圧(Vdss)[V]
100 100 200 100 100 100
Id、Vgs印加時のRds On(最大)[mΩ] 6.8 13.5 22 13.5 23 16
熱抵抗(ジャンクションーケース)[K/W] 0.56 2 1.4 2 3.4 2
Vgs印加時の
ゲート電荷
(最大)[nC]
- 4.5 5.9 4 2.5 4.5
駆動電圧[V] 10 5 5 5 5 5
パッケージ
サイズ[mm²]
156 2.3 2.6 3.4 1.1 3.4
計算上の
総電力損失[W]
22.8 13.8 22.1 13.7 22.6 16.3
車載適合 非適合 非適合 非適合 適合 非適合 非適合
Product Status 推奨 推奨 推奨 アクティブ アクティブ

TechForumのクロスリファレンスカテゴリは、Digi-Keyが販売していない部品または廃止された部品を対象としています。当社のエンジニアとテクニシャンは、これらの部品の仕様を確認し、その代替品を推奨いたします。推奨された部品を調査して、お客様のアプリケーションで動作することを確認してください。




オリジナル・ソース(English)