병렬 연결 된 바이폴라 트랜지스터

발란스 저항을 이미터에 직렬로 연결시키면 바이폴라 트랜지스터(BJTs)도 병렬로 연결할 수 있습니다.

일반적으로 온도가 상승할수록 BJT는 전도성이 높아집니다. 아래 MMBT2222A의 규격서에서 발췌한 예시는 허용된 작동 범위내에서 이 소자의 평균 이득이 어떻게 3에서 5배 정도 변화할 수 있는지를 보여줍니다. 두 트랜지스터의 베이스 저항이 (불가능하지만)완전히 동일하더라도 둘 간의 경미한 온도 차이는 둘 중 하나에 전체 전류 중 더 많은 부분이 흐르도록 하기 때문에 병렬로 연결되어 작동하는 BJT에서는 열적 불안정성을 야기시킬 것입니다. 이렇게 되면 그 트랜지스터는 더 뜨거워지고 또 더 많은 전류를 흐르게 할 것이며 결국엔 고장이 날 때까지 계속 더 뜨거워질 것입니다.

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일반적으로 밸런스 저항을 베이스가 아닌 이미터에 직렬로 연결하면 BJT도 병렬 연결 시 보다 안정적으로 작동할 수 있습니다. 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 증가하면 베이스-이미터 전압이 감소되기 때문에 작은 저항 값일지라도 불균형 경향을 상쇄시킬 수 있습니다. 이는 차례로 베이스 전류의 양을 감소시켜서 전체 전류 중 영향을 받는 트랜지스터가 흘리는 양을 감소시킵니다. 이 기법은 흔히 “이미터 디제너레이션(degeneration)”으로 알려져 있습니다.

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영문 원본: Bipolar Transistors connected in parallel