전자 장비들을 설계하거나 또는 수리할 때, 양극성 트랜지스터 (BJT)의 대체품을 찾을 필요가 가끔 있습니다. 이들 부품의 사양에 있는 수 많은 파라미터들을 읽다 보면 올바른 대체품을 선택하는 것에 좌절감을 느낄 수도 있습니다.
올바른 BJT 대체품을 찾을 때, 주요 사양 중 몇 가지 관련 파라미터들을 이해하고 고려할 필요가 있습니다. 일반적인 용도나 작동 온도 외에도, 아래의 기본적인 트랜지스터 파라미터들을 고려할 필요가 있습니다.
극성
패키지와 핀 배치
항복 전압
전류 이득
주파수
소모 전력
보다 많은 트랜지스터 기술 정보를 다음 글에서 확인할 수 있습니다.
발란스 저항을 이미터에 직렬로 연결시키면 바이폴라 트랜지스터 (BJTs)도 병렬로 연결할 수 있습니다.
일반적으로 온도가 상승할수록 BJT는 전도성이 높아집니다. 아래 MMBT2222A 의 규격서에서 발췌한 예시는 허용된 작동 범위내에서 이 소자의 평균 이득이 어떻게 3에서 5배 정도 변화할 수 있는지를 보여줍니다. 두 트랜지스터의 베이스 저항이 (불가능하지만)완전히 동일하더라도 둘 간의 경미한 온도 차이는 둘 중 하나에 전체 전류 중 더 많은 부분이 흐르도록 하기 때문에 병렬로 연결되어 작동하는 BJT에서는 열적 불안정성을 야기시킬 것입니다. 이렇게 되면 그 트랜지스터는 더 뜨거워지고 또 더 많은 전류를 흐르게 할 것이며 결국엔 고장이 날 때까지 계속 더 뜨거워질 것입니다.
[image]
일반적으로 밸런스 저항을 베이스가 아닌 이미터에 직렬로 연결하면 BJT도 병렬 연결 시 보다 안정적으로 작동할 수 있습니다. 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 증가하면 베이스-이미터 전압이 감소되…
양극성 접합 트랜지스터(BJT) 는 전기 신호나 전력을 증폭하거나 스위칭 하는데 사용되는 일반적인 소자입니다. BJT에서 컬렉터와 이미터간 전류가 도통되면 전력을 소모하게 될 것입니다.
BJT의 정격 전력은 어떻게 추정하는가? [image]
정격 전력이란 소자가 일반적인 작동 환경에서 소모할 수 있는 최대 전력량입니다.
BJT 정격 전력 = 컬렉터 이미터 전압 * 컬렉터 전류 + 베이스 이미터 전압 * 베이스 전류
예를 들어, Micro Commercial Co(MCC) 사 BC856BM-TP 의 정격 전력을 추정해보겠습니다.
[image]
규격서에 따르면, BC856BM-TP의 (25°C에서의) 정격 전력 = 컬렉터 이미터 전압 * 컬렉터 전류 + 베이스 이미터 전압 * 베이스 전류 = ~ 65V x 100mA (베이스 전류가 매우 작아서 무시할 수 있는 경우) = ~ 6.5W로 추정됩니다.
BJT의 정격 전력은 외부 온도 및 장착 표면에 따라 변화할 수 있다는 점에 유…
만약 여러분이 이제 막 전자공학을 시작했다면 초기에 접할 수 있는 용어 중 하나가 “오픈 드레인”입니다. 집적회로에서 출력 핀이 오픈 드레인인 경우는 매우 흔합니다. IC의 규격서에는 출력 핀에 대해 이를 명시하거나 또는 출력 핀이 n채널 FET의 오픈 드레인에 내부적으로 연결된 기능 회로도로 보여줍니다.
[image]
오픈 드레인 출력에서는 출력이 적절한 “하이 상태”가 되도록 하기 위해 풀업 저항(위 이미지에서 R )이 필요합니다. 풀업 저항은 출력 핀과 하이 상태로 요구되는 출력 전압(위 이미지에서 Vcc ) 사이에 연결됩니다. IC의 내부 N-FET가 차단되면 R 은 출력 핀을 Vcc 와 같은 전위로 “끌어 올리고”, 이 때 매우 적은 양의 “누설 전류”만이 N-FET 트랜지스터를 통과해 흐를 것입니다. IC의 내부 N-FET가 도통되면 출력 핀을 거의 GND 와 같은 전위로 “끌어 내리고”, 전류량은 옴의 법칙( I=Vcc/R )에 의해 설정됩니다.
R 값은 (IC 규…
영문 원본: Finding a replacement for your Bipolar Transistor
