薄膜晶片電阻 與 厚膜晶片電阻的共同特徵在於，通過在耐熱基板的表面，塗覆一層薄膜狀的電阻材料而形成的電阻元件。薄膜與厚膜最直觀的差異就是這層“膜”（導電層）的厚度。厚膜晶片電阻膜的厚度可以是薄膜晶片電阻的上千倍。
但是單單理解到 “膜”（導電層）的厚度的差異，在我們在設計電路以及選擇電阻時，依舊不知道該怎麼下手。下面就從準確度與功率方面來把薄膜晶片電阻與厚膜晶片電阻的區別進行說明。
概括來說：
薄膜，主要針對準確度而設計
厚膜，主要針對功率而設計
薄膜晶片電阻： 用真空法澱積導電層，稱為濺鍍。這在陶瓷基板上形成一個薄而均勻的層，只有幾微米厚。然後，該層將經歷光刻或激光蝕刻的過程。這決定了電阻值的精確度，容差極為精細，可低至 0.01%。這樣的準確度才使薄膜晶片電阻如此有用。
厚膜晶片電阻： 厚膜晶片電阻的導電層以漿的形式印製在陶瓷基板上。其厚度可以是薄膜晶片電阻導電層的上千倍。這樣的厚度在處理高功率應用時具有性能優勢，而且製造成本也明顯低於薄膜晶片電阻。然而，它在功率方面的優勢卻也使得其可預測性和精確性降低，容差可能高達 5%。
然後隨著薄膜晶片電阻的發展，現在薄膜晶片電阻與厚膜晶片電阻功率上的差距，越來越小。
例如
TE 的 RN73 系列 的 0805 型電阻，
根據規格書，其額定功率為 0.1W；
RN73 系列規格書
TE 的 RP73P 系列的 0805 型電阻，
根據規格書，其額定功率可以達到 0.25W。
RP73P 系列規格書
這反映了薄膜晶片電阻性能改進。新材料和製造工藝改進，讓製造商能夠在不犧牲準確度的同時，也能提高了薄膜晶片電阻的能力。儘管厚膜晶片電阻在大規模生產應用以及功率至關重要的應用中，始終佔有一席之地。但正是薄膜技術的進步，使設計人員能夠在更廣泛的應用中獲得更準確可靠的結果。
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