@HIRO_FPGA 様
いつもお世話になります。
ご指摘の通り、PFが許容電力に相当すると思われます。
ダイオードの電流-電圧特性は非線形であり、またジャンクション温度の関数でもあるので、電流-PF特性を表す数式は複雑なものになると思います。グラフはコンピュータ解析値か実測値で求めたものだと思われます。
また、データシートのグラフには、電流はピーク値ではなく、平均値と記載されています。
消費電力PFは、オームの法則通り、PF =（電流）ｘ（順方向電圧VF）の積分で表されるのですが、ダイオードは抵抗と違って電流で発生する電圧が電流値に比例しない非線形性を示すので、電流の実効値を使って単純化することが出来ないのだと思います。
また、1次側を流れる電流の実効値Irmsは、入力電圧の実効値をVrmsとして、次の式になります。
Irms =（2次側の消費電力）/ Vrms = 1111W / 240Vrms = 4.63Arms
従って、1次側の電流ピーク値は、3.3Aではなく、6.6Aのように思います。
ご確認いただけませんでしょうか。
グラフでは、3.3Aではなく、上記電流の平均値に相当するPF(W)をみる必要があると思います。
まずは、上記で発生する消費電力を計算するのが先決だと思います。
その後のヒートシンクの熱抵抗(℃/W)を計算する計算手順は、通常の熱設計だと思います。
つぎの新電元のURLに計算ツールもあるようです。ご利用できるかも知れません。
また、次のDigiKey 日本語TechForumの記事も大変参考になると思います。
このページの目的は、エレクトロニクス用途で一般的な基本的熱解析計算を行い、そのプロセスに関連する情報を製品文献から見つけるプロセスを説明することです。
例として、図1で示すモデルのように、TO-220パッケージのトランジスタIRL3713 を、サーマルインターフェースパッドBER183-ND を介してヒートシンクHS278-ND に取り付けたと仮定します。
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図1. 検討対象のサーマルアセンブリのモデル
エレクトロニクス設計において、通常、電子デバイス、そのデバイスが使用される環境、および設計上になんらかの制約があります。これらのうち1つ以上は未知であることが多く、熱解析のポイントはその空白を埋めるか、関連する決定を行うことです。
いずれにせよ、典型的な方法は、物理的なアセンブリを電気回路としてモデル化し、システムが定常状態の熱平衡状態にある－言い換えれば、システム内のすべての温度が安定し、顕著な変化がないと仮定することです。その仮定は概して正確とは言えず、物事を単純化しており、慎重さを欠いた結果を生む傾向があります。
このプロセスは次のように簡単に要約できます。…
パート1 では、基本的な熱管理計算のプロセスを説明しました。このページでは、その議論を基に、特定の部品仕様のインフレ率のような分析の重要性を示します。
前の例では、トランジスタIRL3713PBF （TO-220パッケージ）、ヒートシンクHS278-ND 、サーマルパッドBER183-ND を使用することを想定し、（簡略化のため）デバイスの電力損失を4ワットと想定してデバイスの温度を計算しました。今回は、デバイス特性と一般的な設計制約を制限基準として使用し、さまざまな応用シナリオについて、トランジスタの電流容量に関する実用的な上限値を導き出します。これらの実際的な制限は、データシートで示唆されている数値よりも大幅に小さいことが示され、初心者は驚くかもしれません。
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図1. パート1 の基本的な熱モデル
データシート の1ページを図2に抜粋します。「絶対最大定格」の表では、「連続ドレイン電流」と呼ばれるID定格がこの議論の焦点となる項目です。言語的な観点からは、このような用語は、連続的にドレイン端子を介して部品に流すことができ…
よろしくお願いいたします。
