データシートP12にありますTa−Pd特性の特性④では2.11W(Ta:25℃ )が
最大Pdですが、これはPdが2.11W以内(基板サイズ70mm×70mmの2層)
であれば放熱板がなくも使用できるという解釈で合っていますでしょうか。
もちろん、実際は、ディレーティングを80%程度かけて1.6Wぐらいで使用する
想定です。
データシートP12にありますTa−Pd特性の特性④では2.11W(Ta:25℃ )が
最大Pdですが、これはPdが2.11W以内(基板サイズ70mm×70mmの2層)
であれば放熱板がなくも使用できるという解釈で合っていますでしょうか。
もちろん、実際は、ディレーティングを80%程度かけて1.6Wぐらいで使用する
想定です。
お手数ですが宜しくお願い致します。
@HIRO_FPGA さん
毎度お世話になっております。
本ICはGNDパッドに接続された基板を放熱板として利用しています。
そのため、IC上部に放熱板を搭載するようにはなっていません。
ICの放熱板は不要ですが、基板が放熱板ということです。
データシートp.12の右側に、「ローム基板に実装」という条件があり、
ローム基板の詳細については記載されていませんが、標準の基板であれば、
銅箔の厚さは35μmとなります。
放熱用基板のサイズは70mm×70mmで、サーマルビアを通して放熱面に
接続されます。
次に、データシートp.12のグラフ下側の範囲であれば本ICは動作しますが、
余裕をもたせた熱設計をすることを勧めています。
周囲温度は25℃を考えておられるようですが、周辺には他の回路があるため
使用時には本ICの周囲温度が40~50℃に上昇する可能性もありますので、
温度設計には実際の使用状態をご考慮に入れてください。
以下に、関連資料のサイトをご紹介します。
本ICデータシート日本語版(内容は英語版と同じです)
リニアレギュレータの基礎(ローム)
ロームのFAQ
銅箔のはなし
以上、よろしくお願いします。
関連資料のサイトをご紹介頂きましてありがとうございます。
>そのため、IC上部に放熱板を搭載するようにはなっていません。
>ICの放熱板は不要ですが、基板が放熱板ということです。
→基板で放熱する仕様ということで承知しました。
計算上では、Pdは1.4Wで使用する想定です。
P12のグラフから1.4Wの場合、周囲温度60℃ぐらいまでなら使用できると読み取れます。
おっしゃる通り、熱設計では実際の周囲温度は重要と考えますので、実際に温度を測定
しながら進めていきたいと思います。
仮に周囲温度が60℃を超えるような場合は、Pdを下げるかまたは、FANで空冷するなどが
必要になると考えています。
一旦、現状での不明点は解消しました。
ご対応ありがとうございました。