eGaNデバイスは正の温度係数のデバイスであり、並列運転に適したデバイスです。しかし、これらのデバイスは標準的なシリコンFETに比べて最大10倍高速にスイッチングできるため、この構成ではレイアウトや駆動面で特別に注意を払う必要があります。EPCは、最適な並列化構成を示すアプリケーションノートを作成しました。アプリケーションノート「Effectively Paralleling Gallium Nitride Transistors for High Current and High Frequency Applications 」をご参照ください。
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