これらの設計にeGaN FETやICを使用することで、スイッチング損失を低減し、効率やスイッチング周波数を向上させることができます。 インバータのサイズとコストは、熱管理、およびバルクエネルギー貯蔵とフィルタリングに使用される受動素子によって支配されます。eGaN FETやICを使用して効率を上げたり、スイッチング周波数を上げたりすることにより、パワーインバータ全体のサイズとコストを削減することができます。詳しくは、Power Inverter Applicationsのページをご覧ください。
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