この製品選択ガイドには、DigiKey.jpのバイポーラRFトランジスタカテゴリの製品選択に役立つ情報が記載されています。
バイポーラRFトランジスタは3端子の半導体デバイスで、無線周波数を使用する機器において信号のスイッチングや増幅に使用されます。バイポーラジャンクショントランジスタは、NPNかPNPのどちらかで設計され、トランジスタタイプ、コレクタエミッタブレークダウン電圧、トランジション周波数、雑音指数、ゲイン、電力、DC電流ゲイン、コレクタ電流などの属性があります。
選択属性
トランジスタタイプ： 極性、パッケージに組み込まれたデバイスの数、デバイス間の内部接続など、製品の特性を列挙します。
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）： デバイスが破損のリスクなしにコレクタで維持できる最大電圧値です。
周波数 - トランジション： BJTの周波数特性を示し、デバイスの電流利得が1に低下する周波数を示します。
雑音指数（fあたりの標準dB）： デバイスを通過する信号で生じる信号対雑音比（S/N比）の劣化を表し、特性評価が行われる試験周波数が示されます。
ゲイン： メーカー定義の試験条件下で、デバイスを線形増幅器として使用した場合に達成可能な信号電力利得を示します。
電力 - 最大： 通常これは、デバイスが所定の仕様を満たす最大定格電力を示します。この定格電力を超えると、デバイスや他のシステム構成部品に損傷を与える可能性があります。
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）： コレクタ電流およびコレクタ・エミッタ間電圧の指定値を含むDC試験条件下における、バイポーラトランジスタのベース電流に対するコレクタ電流の比率を表します。デバイス間および動作条件によって大きく異なります。
電流 - コレクタ（Ic）（Max）： デバイスが破損のリスクなしにコレクタで維持できる最大電流値です。
動作温度： 推奨動作温度で、通常、範囲または最大値で示されます。これらの温度を超えると、性能に影響を与えたり、デバイスや他のシステム構成部品に損傷を与えたりする可能性があります。
取り付けタイプ： デバイスがどのように取り付けられているかを示します。
パッケージ/ケース： 電子部品の保護ケースで、取り扱いや取り付けを容易にし、デバイスを保護します。サプライヤのデバイスパッケージに最も近い業界標準と判断したものを掲載しています。通常、回路を設計する際には、この用語で判断するのではなく、データシートに記載されている実際の寸法を使用することをお勧めします。
サプライヤデバイスパッケージ： メーカーがこのデバイスのパッケージをこう呼んでいます。メーカー独自の名称です。通常、回路を設計する際には、この用語で判断するのではなく、データシートに記載されている実際の寸法を使用することをお勧めします。
製品例
| メーカー品番 | BFR93AWH6327XTSA1 |
|---|---|
| DigiKey品番 | BFR93AWH6327XTSA1TR-ND - テープ＆リール（TR） |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | RF トランジスタ NPN 12V 90mA 6GHz 300mW 面実装 PG-SOT323 |
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| メーカー品番 | MRF314 |
|---|---|
| DigiKey品番 | 1465-1176-ND |
| メーカー | MACOM Technology Solutions |
| 詳細な説明 | RF トランジスタ NPN 35V 3.4A 30W シャーシマウント 211-07、スタイル1 |
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| メーカー品番 | BFU590QX |
|---|---|
| DigiKey品番 | 568-11522-2-ND - テープ＆リール（TR） |
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 詳細な説明 | RF トランジスタ NPN 12V 200mA 8GHz 2W 面実装 SOT-89-3 |
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| メーカー品番 | 2N5179 PBFREE |
|---|---|
| DigiKey品番 | 1514-2N5179PBFREE-ND |
| メーカー | Central Semiconductor Corp |
| 詳細な説明 | RF トランジスタ NPN 12V 50mA 2GHz 200mW スルーホール TO-72 |
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回路図シンボル
PNP
NPN
回路図シンボルはScheme-itの提供です。詳細はScheme-itのウェブサイトをご覧ください。
メディアリンク
記事
RF Transistors Offering Remarkable Advances