この製品選択ガイドには、DigiKey.jpの バイポーラトランジスタアレイ、プリバイアスカテゴリの製品選択に役立つ情報が記載されています。
プリバイアスされたバイポーラトランジスタアレイは、2つ以上のバイポーラトランジスタと、各トランジスタに接続された抵抗器（通常、各トランジスタのエミッタ・ベース端子間に1つの抵抗器と、各トランジスタのベース端子とデバイスパッケージ上のアクセス可能なピンに接続されたもう1つの抵抗器）が組み込まれています。
選択属性
トランジスタタイプ： パッケージに組み込まれたデバイスの数、デバイス間の内部接続など、製品の特性を列挙します。
電流 - コレクタ（Ic）（Max）： デバイスが破損のリスクなしにコレクタで維持できる最大電流値です。
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）： デバイスが破損のリスクなしにコレクタで維持できる最大電圧値です。
抵抗 - ベース（R1）： トランジスタのベース端子とデバイスパッケージの外部ピン間に接続される内蔵抵抗器の公称値を示します。
抵抗 - エミッタベース（R2）： トランジスタのベース・エミッタ端子間に接続される内蔵抵抗器の公称値を示します。
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）： コレクタ電流およびコレクタ・エミッタ間電圧の指定値を含むDC試験条件下における、バイポーラトランジスタのベース電流に対するコレクタ電流の比率を表します。デバイス間および動作条件によって大きく異なります。
Vce飽和（最大）@Ib、Ic： デバイスを飽和状態で動作させたときの、コレクタ・エミッタ端子間の電圧降下を表します。示されたベース電流値とコレクタ電流値で測定されます。
電流 - コレクタ遮断（最大）： デバイスが「オフ」状態のときに、デバイスのコレクタ端子を流れる電流を示します。
周波数 - トランジション： BJTの周波数特性を示し、デバイスの電流利得が1に低下する周波数を示します。
電力 - 最大： 通常これは、デバイスが所定の仕様を満たす最大定格電力を示します。この定格電力を超えると、デバイスや他のシステム構成部品に損傷を与えたりする可能性があります。
パッケージ/ケース： 電子部品の保護ケースで、取り扱いや取り付けを容易にし、デバイスを保護します。サプライヤのデバイスパッケージに最も近い業界標準と判断したものを掲載しています。通常、回路を設計する際には、この用語で判断するのではなく、データシートに記載されている実際の寸法を使用することをお勧めします。
サプライヤデバイスパッケージ： メーカーがこのデバイスのパッケージをこう呼んでいます。メーカー独自の名称です。通常、回路を設計する際には、この用語で判断するのではなく、データシートに記載されている実際の寸法を使用することをお勧めします。
製品例
| メーカー品番 | UMH9NTN |
|---|---|
| DigiKey品番 | UMH9NTNTR-ND - テープ＆リール（TR） |
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス 2 NPN - プリバイアス （デュアル） 50V 100mA 250MHz 150mW 面実装 UMT6 |
| データシート | ここをクリック |
| メーカー品番 | PUMD3,135 |
|---|---|
| DigiKey品番 | 1727-PUMD3,135TR-ND - テープ＆リール（TR） |
| メーカー | Nexperia USA Inc. |
| 詳細な説明 | トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス 1 NPN、1 PNP - プリバイアス（デュアル） 50V 100mA 300mW 面実装 6-TSSOPP |
| データシート | ここをクリック |
| メーカー品番 | MUN5135DW1T1G |
|---|---|
| DigiKey品番 | MUN5135DW1T1GOSTR-ND - Tape & Reel (TR) |
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス 2 PNP - プリバイアス （デュアル） 50V 100mA 250mW 面実装 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| データシート | ここをクリック |
| メーカー品番 | RN2703JE(TE85L,F) |
|---|---|
| DigiKey品番 | RN2703JE(TE85LF)TR-ND - テープ＆リール（TR） |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス 2 PNP - プリバイアス （デュアル）（エミッタ結合） 50V 100mA 200MHz 100mW 面実装 ESV |
| データシート | ここをクリック |
メディアリンク
記事
トランジスタの基礎
2N3904 NPN Basic Transistor Guide
TechForum
BJT, MOSFET, IGBT トランジスタの代替品の見つけ方
バイポーラジャンクショントランジスタ（BJT）の電力定格