| メーカー | Goford Semiconductor | Silikron |
| メーカー品番 | G080N06K | SSF6808D3X |
| FETタイプ | Nチャンネル | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧 （Vdss） |
60V | 60V |
| 電流 - 25°Cでの 連続ドレイン（Id） |
80A（Tc） | 80A（Tc） |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、 最小Rdsオン） |
10V | 10V |
| Id、Vgs印加時の Rds On（最大） |
8ミリオーム @ 20A、10V | 8ミリオーム @ 20A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs印加時の ゲート電荷（Qg）（最大） |
77 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V |
| Vds印加時の 入力静電容量（Ciss）（最大） |
3408 pF @ 30 V | 3450 pF @ 60 V |
| 電力散逸（最大） | 110W（Tc） | 74W（Tc） |
| 動作温度 | -55°C～150°C（TJ） | -55°C～150°C（TJ） |
| 取り付けタイプ | 面実装 | 面実装 |
| サプライヤデバイス パッケージ |
TO-252 | TO-252 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3、DPAK （2リード + タブ）、 SC-63 |
TO-252-3、DPAK （2リード + タブ）、 SC-63 |
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