この製品選択ガイドには、DigiKey.jpのIGBTモジュールカテゴリの製品選択に役立つ情報が記載されています。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は3端子のパワー半導体デバイスで、主に高効率と高速スイッチングを兼ね備えた電子スイッチとして使用されます。モジュールとして、IGBTは非対称ブリッジ、昇圧、降圧、ブレーキチョッパ、フルブリッジ、3レベル、および3相インバータとして構成されます。温度監視用にNTCサーミスタを内蔵したものもあります。IGBTモジュールは、最大電力、コレクタ電流、コレクタエミッタブレークダウン電圧、および構成によって分類されます。
選択属性
IGBTタイプ: デバイス性能のさまざまな側面間のトレードオフに影響する内部デバイス構造の違いを示します。
構成: モジュールの回路トポロジを示し、その出力と動作を定義します。
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): デバイスが破損のリスクなしにコレクタで維持できる最大電圧値です。
電流 - コレクタ(Ic)(最大): デバイスが破損のリスクなしにコレクタで維持できる最大電流値です。
電力 - 最大: 通常これは、デバイスが所定の仕様を満たす最大定格電力を示します。この定格電力を超えると、デバイスや他のシステム構成部品に損傷を与える可能性があります。
Vce(on)(最大)@ Vge、Ic: デバイスのコレクタ・エミッタ端子間に現れる最大電圧を表し、指定された値のコレクタ電流およびゲート・エミッタ間電圧で測定されます。
電流 - コレクタ遮断(最大): デバイスが「オフ」状態のときに、デバイスのコレクタ端子を流れる電流を示します。
入力静電容量(Cies)@ Vce: デバイスのゲート・コレクタ容量とゲート・エミッタ容量の和を表し、指定されたコレクタ・エミッタバイアスを印加して測定されます。
入力: デバイスがどのタイプの入力電圧を受け入れるように設計されているかを示します。
NTCサーミスタ: デバイスの温度監視を容易にするために、デバイスがNTCサーミスタを内蔵しているかどうかを示します。
動作温度: 推奨動作温度で、通常、範囲または最大値で示されます。これらの温度を超えると、性能に影響を与えたり、デバイスや他のシステム構成部品に損傷を与えたりする可能性があります。
取り付けタイプ: デバイスがどのように取り付けられているかを示します。
パッケージ/ケース: 電子部品の保護ケースで、取り扱いや取り付けを容易にし、デバイスを保護します。サプライヤのデバイスパッケージに最も近い業界標準と判断したものを掲載しています。通常、回路を設計する際には、この用語で判断するのではなく、データシートに記載されている実際の寸法を使用することをお勧めします。
サプライヤデバイスパッケージ: メーカーがこのデバイスのパッケージをこう呼んでいます。メーカー独自の名称です。通常、回路を設計する際には、この用語で判断するのではなく、データシートに記載されている実際の寸法を使用することをお勧めします。
製品例
メーカー品番 | IXXN110N65B4H1 |
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DigiKey品番 | IXXN110N65B4H1-ND |
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | IGBT モジュール PT シングル 650 V 215 A 750 W シャーシマウント SOT-227B |
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メーカー品番 | FZ400R12KE4HOSA1 |
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DigiKey品番 | FZ400R12KE4HOSA1-ND |
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | IGBT モジュール トレンチ型フィールドストップ シングル 1200 V 400 A 2400 W シャーシマウント モジュール |
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メーカー品番 | NXH450B100H4Q2F2PG |
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DigiKey品番 | 488-NXH450B100H4Q2F2PG-ND |
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | IGBT モジュール 2独立 1000 V 101 A 234 W シャーシマウント 56-PIM(93x47) |
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メーカー品番 | APTGT200DU120G |
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DigiKey品番 | APTGT200DU120G-ND |
メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | IGBT モジュール トレンチ型フィールドストップ デュアル、コモンソース 1200 V 280 A 890 W シャーシマウント SP6 |
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回路図シンボル
回路図シンボルはScheme-itの提供です。詳細はScheme-itのウェブサイトをご覧ください。
メディアリンク
動画
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