シングルIGBT

この製品選択ガイドには、DigiKey.jpシングルIGBTカテゴリの製品選択に役立つ情報が記載されています。

シングルIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は3端子の多層半導体デバイスで、大電流を扱うことができ、高速スイッチング機能を備えています。これらは、タイプ、コレクタエミッタブレークダウン電圧、コレクタ電流、パルスコレクタ電流、VCE(ON)、スイッチングエネルギー、ゲート充電によって特徴付けられます。


選択属性

IGBTタイプ: デバイス性能のさまざまな側面間のトレードオフに影響する内部デバイス構造の違いを示します。

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): デバイスが破損のリスクなしにコレクタで維持できる最大電圧値です。

電流 - コレクタ(Ic)(最大): デバイスが破損のリスクなしにコレクタで維持できる最大電流値です。

電流 - パルス形コレクタ(Icm): メーカーが定める短期過渡条件下での最大許容電流値。熱的な考慮に基づいて定格をディレーティングすることがあります。

Vce(on)(Max)@ Vge、Ic: デバイスのコレクタ・エミッタ端子間に現れる最大電圧を表し、指定された値のコレクタ電流およびゲート・エミッタ間電圧で測定されます。

電力 - 最大: 通常これは、デバイスが所定の仕様を満たす最大定格電力を示します。この定格電力を超えると、デバイスや他のシステム構成部品に損傷を与える可能性があります。

スイッチングエネルギー: 指定された試験条件に基づき、スイッチングイベント中のデバイスの電力損失を評価します。

入力タイプ: デバイスの制御に使用される信号電圧のタイプを示します。

ゲート充電: メーカーが定めた試験条件下で、スイッチングを実現するためにゲート端子に供給しなければならない充電量です。

25°CでのTd(オン/オフ): 遅延時間。指定された試験条件下で、ゲート信号を印加してからコレクタ電流が変化するまでの時間を表します。

テスト条件: コレクタ・エミッタ間電圧、コレクタ電流、直列ゲート抵抗、およびゲート・エミッタ間駆動電圧の条件を示し、スイッチングエネルギーや遅延時間などのダイナミックデバイス特性の測定に使用されます。

逆回復時間(trr): ダイオードが順方向導通状態から逆方向遮断状態に移行するのに必要な時間であり、その間に電流がデバイスを逆方向に流れる可能性があります。メーカー定義の試験条件下で測定されます。

動作温度: 推奨動作温度で、通常、範囲または最大値で示されます。これらの温度を超えると、性能に影響を与えたり、デバイスや他のシステム構成部品に損傷を与えたりする可能性があります。

取り付けタイプ: デバイスがどのように取り付けられているかを示します。

パッケージ/ケース: 電子部品の保護ケースで、取り扱いや取り付けを容易にし、デバイスを保護します。サプライヤのデバイスパッケージに最も近い業界標準と判断したものを掲載しています。通常、回路を設計する際には、この用語で判断するのではなく、データシートに記載されている実際の寸法を使用することをお勧めします。

サプライヤデバイスパッケージ: メーカーがこのデバイスのパッケージをこう呼んでいます。メーカー独自の名称です。通常、回路を設計する際には、この用語で判断するのではなく、データシートに記載されている実際の寸法を使用することをお勧めします。


製品

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メーカー品番 IKB20N60TATMA1
DigiKey品番 IKB20N60TATMA1TR-ND - テープ&リール(TR)
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 IGBT トレンチ型フィールドストップ 600 V 40 A 166 W 面実装 PG-TO263-3-2
データシート ここをクリック

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メーカー品番 IXGR48N60C3D1
DigiKey品番 IXGR48N60C3D1-ND
メーカー IXYS
詳細な説明 IGBT PT 600 V 56 A 125 W スルーホール ISOPLUS247™
データシート ここをクリック

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メーカー品番 STGW30H65FB
DigiKey品番 497-14467-5-ND
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 IGBT トレンチ型フィールドストップ 650 V 30 A 260 W スルーホール TO-247
データシート ここをクリック

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メーカー品番 RGPZ10BM40FHTL
DigiKey品番 RGPZ10BM40FHTLTR-ND - テープ&リール(TR)
メーカー Rohm Semiconductor
詳細な説明 IGBT 460 V 20 A 107 W 面実装 TO-252
データシート ここをクリック

回路図シンボル

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回路図シンボルはScheme-itの提供です。詳細はScheme-itのウェブサイトをご覧ください。

メディアリンク

動画
650V, 1200V IGBT - MCC’s IGBT offer low conduction loss
Introduction to TRENCHSTOP™ IGBT 7

記事
Understanding IGBT Data Sheet Parameters - Bourns
Introduction of Field-Stop Shorted-Anode IGBT
BLDC Motor Control with Integrated IGBT Drivers
Process Enhancements Increase IGBT Efficiency for Motor Drive Applications
IGBTs Boost Solar Panel Efficiency

製品トレーニングモジュール
IGBT Primer Device - Infineon
IGBT and SLLIMM IPM - STMicroelectronics
Insulated Gate Bipolar Transistors Overview - ROHM
TRENCHSTOP™ 5 Family - Infineon

TechForum
BJT, MOSFET, IGBT トランジスタの代替品の見つけ方
ゲートドライバ部品の選択

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オリジナル・ソース(English)