在為特定應用選擇馬達驅動器晶片時，一個關鍵考慮因素是通過該晶片可以最大驅動多少電流。 晶片和 PCB 的熱性能通常會限制馬達驅動器能夠安全地處理電流。 這就是為什麼在設計馬達應用時，需要計算馬達驅動器總功耗是很重要。
要計算馬達驅動器的近似功耗，必須考慮馬達驅動器晶片內部的所有功耗源，例如 MOSFET 導通電阻中的功率耗散。
1. Rds(on) 耗散
馬達驅動器晶片內部功耗的最大來源是 MOSFET 導通電阻或 Rds(on) 中的功率耗散。 例如，H 橋（使用高側 MOSFET 和低側 MOSFET）的功率耗散為
P (RDS) = (HS x Io2) + (LS x Io2)
其中，P (RDS) 為輸出 MOSFET 中的功率耗散，
HS 為高側 MOSFET 的電阻，
LS 為低側 MOSFET的電阻，
Io 是加載到馬達中的 RMS 輸出電流。
- 請注意，Rds(on)會隨溫度升高而增加，因為器件變熱時，功耗也隨之增加。
2. 切換損耗
當輸出從高電平轉換為低電平或從低電平轉換為高電平時，輸出器件會穿過一個線性區域，在該區域，它們的功率耗散會明顯高於完全導通時的功率耗散。這種功率耗散稱為切換損耗。
在近似計算中，各輸出的切換損耗為：
PSW = P(RISE) + P(FALL)
其中，PSW 為一個輸出的總開關損耗（以瓦特為單位），
P(RISE) 為上升沿期間的功耗，
P(FALL) 為下降沿期間的功耗
將上述方程延伸
P(RISE) = 1/2 x Vm x IOUT x tR x fSW
P(RISE) = 1/2 x Vm x IOUT x tR x fSW
其中，Vm 為電源電壓（以 伏為單位），
IOUT 為輸出電流（以安培為單位），
tR 為上升時間（以秒為單位）,
tF 為下降時間（以秒為單位）,
fSW 為開關頻率（以赫茲為單位）
- 大多数情况下，tR 和 tF 的數值均包含在驅動器的規格書中。
3.工作電源電流耗散 (Operating Supply Current Dissipation)
在實際應用中，馬達驅動器晶片會消耗一些電流。這功率耗散的計算方程如下：
P = Vm x Im
其中，Vm 為馬達驅動器的工作電壓，
Im 為馬達驅動器的工作電流
4.其他功率耗散
在某些馬達應用中，你可能希望使用 LDO 穩壓器來提供外部電源負載。這功率耗散的計算方程如下：
PLDO = ILDO x (Vm - VOUT)