この製品選択ガイドには、DigiKey.jpのJFETカテゴリの製品選択に役立つ情報が記載されています。
ジャンクションゲート電界効果トランジスタ（JFET）は、電子制御スイッチ、増幅器、電圧制御抵抗器として使用されるデバイスです。ゲート・ソース端子間に適切な極性の電圧が印加されると、電流の流れに対する抵抗が増加するため、ソース・ドレイン端子間のチャンネルに流れる電流は少なくなります。JFETは、ソース・ドレイン端子間の半導体チャンネルを電荷が流れるため、バイアス電流は必要ではありません。
選択属性
FETタイプ： FETのチャンネルタイプ。一般的な使用でデバイスに印加される電圧の極性に影響します。
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）： 損傷を引き起こすことなく、デバイスのゲート・ソース端子間に印加できる最大電圧です。
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）： デバイスが耐えられるドレイン・ソース端子間の絶対最大電圧です。メーカーの定格値が示されています。
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）： Vgs=0、および指定されたドレイン・ソース間電圧で予想される最小ドレイン電流です。実際の値はデバイスや温度によって大きく異なります。
電流ドレイン（Id） - 最大： デバイスを流れる最大許容電流です。
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）： ドレイン電流が指定された値まで減少するゲート・ソース間電圧の代表的な大きさです。
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）： デバイスの寄生容量（ゲート・ドレイン間容量とゲート・ソース間容量の合計）を表し、指定された値のドレイン・ソース間電圧で測定されます。
抵抗 - RDS（On）： 「オン」状態におけるデバイスのドレイン・ソース端子間の代表的な抵抗値です（Vgs=0、|Vds|=小）。
電力 - 最大： 通常これは、デバイスが所定の仕様を満たす最大定格電力を示します。この定格電力を超えると、デバイスや他のシステム構成部品に損傷を与える可能性があります。
動作温度： 推奨動作温度で、通常、範囲または最大値で示されます。これらの温度を超えると、性能に影響を与えたり、デバイスや他のシステム構成部品に損傷を与えたりする可能性があります。
取り付けタイプ： デバイスがどのように取り付けられているかを示します。
パッケージ/ケース： 電子部品の保護ケースで、取り扱いや取り付けを容易にし、デバイスを保護します。サプライヤのデバイスパッケージに最も近い業界標準と判断したものを掲載しています。通常、回路を設計する際には、この用語で判断するのではなく、データシートに記載されている実際の寸法を使用することをお勧めします。
サプライヤデバイスパッケージ： メーカーがこのデバイスのパッケージをこう呼んでいます。メーカー独自の名称です。通常、回路を設計する際には、この用語で判断するのではなく、データシートに記載されている実際の寸法を使用することをお勧めします。
製品Examples
| メーカー品番 | MMBFJ112 |
|---|---|
| DigiKey品番 | MMBFJ112TR-ND - テープ＆リール（TR） |
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | JFET Nチャンネル 35 V 350 mW 面実装 SOT-23-3 |
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| メーカー品番 | 2N4392 PBFREE |
|---|---|
| DigiKey品番 | 1514-2N4392PBFREE-ND |
| メーカー | Central Semiconductor Corp |
| 詳細な説明 | JFET Nチャンネル 40 V 1.8 W スルーホール TO-18 |
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| メーカー品番 | UF3N170400B7S |
|---|---|
| DigiKey品番 | 2312-UF3N170400B7STR-ND - テープ＆リール（TR） |
| メーカー | Qorvo |
| 詳細な説明 | JFET Nチャンネル 1700 V 6.8 A 68 W 面実装 D2PAK-7 |
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| メーカー品番 | LS844 SOT-23 6L ROHS |
|---|---|
| DigiKey品番 | 4004-LS844SOT-236LROHSTR-ND - テープ＆リール（TR） |
| メーカー | Linear Integrated Systems, Inc. |
| 詳細な説明 | JFET 2 Nチャンネル（デュアル） 60 V 50 mA 400 mW 面実装 |
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回路図シンボル
